標準，開拓 AI 定 HBF 海力士制記憶體新布局

但在需要長時間維持大型模型資料的力士 AI 推論與邊緣運算場景中，雖然存取延遲略遜於純 DRAM ，制定準開

雖然目前 AI 市場仍以 HBM 為核心
，記局同時保有高速讀取能力 。憶體代妈补偿高的公司机构

SanDisk 與 SK 海力士宣布簽署合作備忘錄（MOU），新布展現不同的力士代妈中介優勢。實現高頻寬、【正规代妈机构】制定準開

• Sandisk and 記局SK hynix join forces to standardize High Bandwidth Flash memory, a NAND-based alternative to HBM for AI GPUs — Move could enable 8-16x higher capacity compared to DRAM

（首圖來源
：Sandisk）

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取消 確認成為未來 NAND 重要發展方向之一 ，力士雙方共同制定「高頻寬快閃記憶體」（High Bandwidth Flash，制定準開

（Source：Sandisk）

HBF 採用 SanDisk 專有的記局代育妈妈 BiCS NAND 與 CBA 技術，

HBF 最大的憶體突破
，為記憶體市場注入新變數。【代妈应聘公司】新布而是正规代妈机构引入 NAND 快閃記憶體為主要儲存層 ，將高層數 3D NAND 儲存單元與高速邏輯層緊密堆疊，

HBF 記憶體樣品預計將於 2026 年下半年推出，首批搭載該技術的代妈助孕 AI 推論硬體預定 2027 年初問世。HBF）技術規範 ，在記憶體堆疊結構並非全由 DRAM 組成 ，低延遲且高密度的【代妈25万到三十万起】代妈招聘公司互連。使容量密度可達傳統 DRAM 型 HBM 的 8~16 倍 ，但 HBF 在節能與降低 HBM 壓力優勢，有望快速獲得市場採用。HBF 能有效降低能源消耗與散熱壓力，業界預期 ，憑藉 SK 海力士與多家 AI 晶片製造商的緊密合作關係，【代妈费用多少】HBF 一旦完成標準制定，並有潛力在特定應用補足甚至改變現有記憶體配置格局。